成大晶體研究中心啟用 台灣晶體技術躍進全球舞台

成功大學「晶體研究中心」今(26)日正式揭牌啟用，標誌著台灣在半導體材料技術領域邁出重要一步。該中心位於台南科學園區的研究中心，成為國內唯一擁有超高溫（2300°C以上）大尺寸碳化矽（SiC）晶體生長技術的學術機構，為台灣的高端材料研發注入新動能。

透過強化技術轉移及與全球產業夥伴的密切合作，成大晶體研究中心將推動SiC與氧化鎵（Ga₂O₃）材料應用於半導體、光學、雷射及醫療等領域，鞏固台灣在全球市場中的競爭地位。揭牌儀式後，成大晶體研究中心展示其最新的SiC與氧化鎵晶體技術，下午場的專題討論更吸引來自半導體、光學、雷射及醫療領域的頂尖專家，共商高溫晶體技術的未來發展方向。通過與產業界的深度交流，中心希望能加速技術實用化，帶領台灣進入晶體材料技術的嶄新紀元。

晶體研究中心的成立，主要受益於國科會和教育部高教深耕計畫的長期支持，成功克服高溫SiC晶體生長的技術瓶頸。中心如今能夠生長大尺寸、高純度的SiC晶體，這些材料對於提升電動車、5G通訊及高效能電源管理等應用的效能至關重要。此外，該中心在氧化鎵領域也取得了突破性進展，成功使用特殊設計的熔融法生長出高品質晶體。這些成果將與產業界緊密合作，加速商業化進程，幫助台灣關鍵產業實現技術升級。

開幕典禮上，大立光電集團也宣佈了其在晶體技術上的重大投資，展示出產業界對成大晶體研究中心的信心與期待。大立光與其子公司台灣應用晶體公司將進一步深化與成大半導體學院的合作，專注於SiC磊晶生長研究，力求在未來三年內取得突破性成果。此舉將不僅大幅提升台灣在晶體生長技術上的實力，也將帶動相關產業鏈的整體成長。

國際化布局方面，成大晶體研究中心也已在立陶宛與拉脫維亞設立研究據點，與當地研究團隊攜手開發高功率薄片雷射系統（TDL），取得重要技術成果。這項技術將廣泛應用於先進雷射醫療、精密加工及光通訊等領域，進一步強化台灣在全球晶體技術市場的競爭優勢。

在典禮致詞中，國科會自然科學及永續研究發展處處長賴明治表示，成大晶體研究中心的成立展現了台灣學術界在先進材料與半導體技術領域的卓越實力。透過持續創新與產學合作，該中心將在高端晶體材料的研發與應用上開創更多可能性，助推台灣在國際舞台上持續領航。教育部主任秘書林柏樵則讚揚周明奇教授的卓越研究成果，並期盼成大晶體研究中心能匯聚全台研究能量，共同推動台灣學術國際化與產業升級。

成大主任秘書羅偉誠也在致詞中強調，晶體研究中心的設立離不開學界、產業界和政府各方的支持。這一研究機構不僅對台灣的半導體產業布局具有深遠影響，也為未來的AI及高端材料應用提供了重要基石。 成大晶體研究中心的成立，象徵著台灣在晶體技術研究領域的重大突破。未來，該中心將以更加前瞻的研究視野，攜手產業界深化合作，為台灣在全球科技競爭中奠定更加穩固的領導地位。